关于SiO2/G的界面差分电荷密度总结

先来个今日笑话,今天在做界面滑动时统计不同滑动位置时的电荷密度差,发现每滑动一步总的电荷密度差就增加1个电子,然后想了半天,干其他事都没心情了,难道发现新的现象!?但想了一下又不对,这也太规律了吧,且也不符合逻辑啊。最后突然想到我tm给每个步骤都编了1 2 3 4 5的数,靠!果然没新发现!

今天发现界面结合最强的电荷密度差反而是最小的,这不太符合逻辑,因为结合最强电荷密度差应该变化越大或者电子占据的能态更低,跨越的能级更大。但是电荷密度差却与之相反,发可能统计方法有问题,因为是做的面内的平均电荷密度,如果都在一个面内变化,其电荷差就会很小。